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低压MOSFET芯片设计技术

地区：江苏省 扬州市

关键词：

需求类型：其它

需求领域：其它

需求编号：D2021040600000403

解决方案：暂无

审核状态：未审核

需求描述：

低压MOSFET芯片设计技术1、具体技术要求：击穿电压V（BR）DSS≥20V，导通电阻RDS（on）≤35mΩ(VGS=4.5V,ID=3.0A)。
成果匹配
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