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面向电力电子需求的低应力高精度超薄碳化硅(SiC)晶片研制和应用技术开发
地区:
北京市 西城区
关键词:
中国创新挑战赛
需求类型:
其它
需求领域:
新材料
需求编号:
D2021061600002133
解决方案:
暂无
审核状态:
通过审核
需求描述:
本需求旨在基于目前产业标准化的产品基础上,开发面向电力电子应用需求的低应力高精度超薄碳化硅,并打通产业链下游的外延、器件的产业应用验证。在全球市场上,6英寸碳化硅单晶衬底产品最薄的厚度规格为:350±25μm。如果单晶衬底厚度减少15%以上,意味着:单块晶体出片量可增加15%以上、单晶片的价格可降低约为15%;在器件制程中,衬底减薄时间可减少15%以上,成本较大降低,项目意义十分突出。同时,如果将衬底厚度减薄,面临着衬底片、外延片的几何精度恶化,衬底价格、器件工艺过程中开裂等工艺风险,而有要解决这些难题,涉及到显著开展低应力碳化硅晶体技术开发、超薄高精度衬底片加工技术开发、超薄高精度衬底片的外延应用验证、器件工艺应用验证等一系列关键技术和工艺攻关。开发目标:①开发厚度为250~300μm的4英寸、6英寸高精度超薄碳化硅衬底,几何精度TTV≦8微米;Warp≦40微米;Bow≦25微米;②完成4英寸、6英寸高精度超薄碳化硅衬底外延、器件工艺验证;③开展低应力、低缺陷密度4、6英寸晶体的开发,包括:晶体界面凸度(中心厚度减去边缘最薄处厚度):≦5mm;晶体外壁:光亮表面;微管密度<1个/cm2、100%4H晶型。
成果匹配
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