面向电力电子需求的低应力高精度超薄碳化硅（SiC）晶片研制和应用技术开发

地区：北京市西城区

关键词：中国创新挑战赛

需求类型：其它

需求领域：新材料

需求编号：D2021061600002133

解决方案：暂无

审核状态：通过审核

需求描述：

本需求旨在基于目前产业标准化的产品基础上，开发面向电力电子应用需求的低应力高精度超薄碳化硅，并打通产业链下游的外延、器件的产业应用验证。在全球市场上，6英寸碳化硅单晶衬底产品最薄的厚度规格为：350±25μm。如果单晶衬底厚度减少15%以上，意味着：单块晶体出片量可增加15%以上、单晶片的价格可降低约为15%；在器件制程中，衬底减薄时间可减少15%以上，成本较大降低，项目意义十分突出。同时，如果将衬底厚度减薄，面临着衬底片、外延片的几何精度恶化，衬底价格、器件工艺过程中开裂等工艺风险，而有要解决这些难题，涉及到显著开展低应力碳化硅晶体技术开发、超薄高精度衬底片加工技术开发、超薄高精度衬底片的外延应用验证、器件工艺应用验证等一系列关键技术和工艺攻关。开发目标：①开发厚度为250~300μm的4英寸、6英寸高精度超薄碳化硅衬底，几何精度TTV≦8微米；Warp≦40微米；Bow≦25微米；②完成4英寸、6英寸高精度超薄碳化硅衬底外延、器件工艺验证；③开展低应力、低缺陷密度4、6英寸晶体的开发，包括：晶体界面凸度（中心厚度减去边缘最薄处厚度）：≦5mm；晶体外壁：光亮表面；微管密度<1个/cm2、100%4H晶型。成果匹配

面向电力电子需求的低应力高精度超薄碳化硅（SiC）晶片研制和应用技术开发

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