新型大功率GaN基蓝光半导体激光器模组研发

地区：四川省南充市

关键词：中国创新挑战赛

需求类型：其它

需求领域：其它

需求编号：D2021061600002622

解决方案：暂无

审核状态：通过审核

需求描述：

GaN基蓝、绿光发光二极管在光显示上的应用已使颜色逼真的全色显示屏发出绚丽的光彩，光存储与光通信是目前半导体激光器的最主要应用。本项目需要明确的散热解决方案，因为GaN晶体管比传统硅晶体管功率密度更高，可承受的工作温度更高(～500℃)，但与所有半导体器件一样，GaN晶体管工作时也会产生多余热量，从而影响其电性能。在传统衬底上外延GaN存在晶格不匹配的困难，导致器件厚度达到几十、甚至几百微米。这非常不利于芯片散热。主要考核指标包括：一是研发产品产品激发波长范围在450nm~460nm之间；二是激光器单片最大输出功率250mW;三是激光模组输出功率高于5W 成果匹配

新型大功率GaN基蓝光半导体激光器模组研发

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