超厚、高质量6英寸晶体生长技术

地区：北京市西城区

关键词：中国创新挑战赛

需求类型：其它

需求领域：新材料

需求编号：D2021061600002127

解决方案：暂无

审核状态：通过审核

需求描述：

6英寸SiC单晶衬底已逐步成为SiC产业上使用的主流产品，但目前6寸SiC衬底晶片产品的价格仍居高不下（约10000元/片），这主要受制于6寸晶体的产量较低。在技术层面，提高晶片产品产量的核心要点是：提高单块SiC晶体生长的有效柱高，也即提高晶体的生长速度。本项目立项目的为：以保障高质量为基础，提高生长晶体的有效高度。1）主要技术指标·晶体直径：≧150mm；·有效晶体厚度：≧25mm；·微管密度：≦0.5个/cm2；·杂质含量（N除外）：Ti、V、Al、B等关键杂质浓度总和≦0.1PPM·位错密度：≦5000个/cm2；·加工晶片BowWarpTTV:≦25微米/≦45微米/≦15微米。2）条件·使用国产或自制晶体生长炉进行晶体生长工作；·提高晶体有效柱高的的手段为，提高晶体单位时间的生长速度。2）成本·基本等同于正常晶体生长成本。成果匹配

超厚、高质量6英寸晶体生长技术

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